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      小容量光化學反應儀CH-GHX-AC控溫光催化

      簡要描述:小容量光化學反應儀CH-GHX-AC控溫光催化,光化學反應儀, 又稱為光化學反應釜,多功能光化學反應器.主要用于研究氣相或液相介質(zhì)、固定或流動體系、紫外光或模擬可見光照、以及反應容器是否負載TiO2光催化劑等條件下的光化學反應。

      • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
      • 更新時間:2023-11-11
      • 訪  問  量:1457

      詳細介紹

      品牌其他品牌產(chǎn)地類別國產(chǎn)
      應用領域環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),制藥/生物制藥,綜合

      小容量光化學反應儀CH-GHX-AC控溫光催化

      主要特征:

      1.光化學反應儀智能微電腦控制,可觀察電流和電壓實時變化

      2.進口光源控制器,內(nèi)置光源轉(zhuǎn)換器,功率連續(xù)可調(diào),穩(wěn)定性高

      3. 光化學反應儀具有分步定時功能,操作簡便

      4.反應暗箱內(nèi)壁使用防輻射材料,且?guī)в杏^察窗

      5.采用內(nèi)照式光源,受光充分,燈源采用耐高壓防震材質(zhì),經(jīng)久耐用

      6.配有8(6/12可選)位磁力攪拌裝置,使樣品充分混勻受光

      7.雙層耐高低溫石英冷阱,可通入冷卻水循環(huán)維持反應溫度

      8.光化學反應儀高溫度保護系統(tǒng),自動斷電功能

      9.機箱外部結(jié)構(gòu)設有循環(huán)水進出口,內(nèi)部設有2個插座,供燈源和攪拌反應器用

       

      技術參數(shù)

      型號:CH-GHX-AC多試管控溫光化學反應儀

      (一)主體部分1.光源功率可連續(xù)調(diào)節(jié)大小。

      2.集成式光源控制器,可供汞燈、氙燈、金鹵燈等多種光源使用。3.汞燈功率調(diào)節(jié)范圍:0~1000W可連續(xù)調(diào)節(jié)。

      4.氙燈功率調(diào)節(jié)范圍:0~1000W可連續(xù)調(diào)節(jié)。5.金鹵燈功率調(diào)節(jié)范圍:0~500W可連續(xù)調(diào)節(jié)。

      (二)小容量反應部分1.石英試管規(guī)格:30ml、50ml(或定做)。2.可同時處理8個樣品(或定做)。

      3.八位磁力攪拌裝置可同步調(diào)節(jié)8個樣品的攪拌速度。

      (三)控溫裝置

      1.冷卻水循環(huán)裝置制冷量:>1000W2.控溫范圍:-5°C到100°C

      3.冷卻水循環(huán)裝置設有腳輪和底部排液閥。


      小容量光化學反應儀CH-GHX-AC控溫光催化

      光化學反應儀或是氙燈光源應如何選購呢?

      1氙燈光源平行光源一般是燈泡通過光學器件處理,而在需要高能量的場合則采用橢球反映射鏡。

      2光化學反應儀/氙燈光源在光化學中,可由平行光源與反映樣品部分構(gòu)成外照式輻照系(光以平行光束形式從反映系統(tǒng)由外而內(nèi)的進行輻照)。

      3光源至于那些燈源可構(gòu)成匯聚點光源,中心發(fā)散光源及平行光源則需具體情況具體討論。

      4光源匯聚點光源通常用于單色儀分光,光纖導入或使用聚焦點的能量集中效應(如熱效應)。

      5光化學反應儀光源散光源通常是對燈源未做任何處理(光以球面波形式向整個空間發(fā)散),在光化學中,通常冷阱、反應器配合,光均勻的向反映物質(zhì)輻射,構(gòu)成所謂的內(nèi)照式輻照系(整個體系中,光由內(nèi)而外輻照)。



      小容量光化學反應儀產(chǎn)品配置:

      配置單

      數(shù)  量

      控制主機

      1臺

      反應暗箱

      1臺

      光源控制器

      1臺

      雙層石英冷阱

      1個

      專用循環(huán)機

      1套

      汞燈(1000W)/氙燈(1000W)/金鹵燈(500W)

      各1支

      攪拌裝置

      1套

      反應罐

      8只(30ml,50ml可選)

       

      光催化凈化裝置

      光催化凈化技術主要是利用光催化劑二氧化欽(T'02)吸收外界輻射的光能,使其直接轉(zhuǎn)變?yōu)榛瘜W能。當能量大于Ti02禁帶寬度的光照射半導體時,光激發(fā)電子躍遷到導帶,形成導帶電子(e-),同時在價帶留下空穴階(h+)。由于半導體能帶的不連續(xù)性,電子和空穴的壽命較長,它們能夠在電場作用下或通過擴散的方式運動,與吸附在半導體催化劑粒子表面上的物質(zhì)發(fā)生氧化還原反應,或者被表面晶格缺陷俘獲??昭ê碗娮釉诖呋瘎┝W觾?nèi)部或表面也能直接復合,空穴能夠同吸附在催化劑粒子表面的月口一或HZO發(fā)生作用生成經(jīng)基自由基HO " , HO.是一種活性很高的粒子,能夠無選擇的氧化多種有機物并使之礦化。

      由于光催化還屬于一種新興的技術,有很多因素還需要額外考慮,諸如納米光催化劑的制備技術、納米光催化劑的高活性和高壽命技術、納米光催化劑的固載化技術和納米光催化劑反應的設計技術,這些因素的實現(xiàn)勢必會使得凈化器價格攀升,從而影響推廣。然而該技術最大的不足在于,從利用太陽光效率的角度看,半導體的光吸收波長范圍狹窄,主要在紫外區(qū),利用太陽光的比例低;光生載流子的復合率很高,導致量子效率較低。


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